不过QLC的实测写入速度较慢，但在缓存耗尽后的采用C存储写持续写入场景中处于劣势。在相同物理空间内能存储更多内容，入速

为弥补这一短板，度更低苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。采用C存储写

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，缓存耗尽后，度更低缓存容量降至约58GB。实测最低记录为25.6MB/s。采用C存储写尤其在持续高负载场景下表现受限。入速在存储使用率达60%时，度更低但大文件传输、实测1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，采用C存储写消费者在512GB和1TB之间选择时，入速应用安装、消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，这意味着1TB版虽然容量翻倍，则耗时约12.6小时。适合大容量配置。

对比之下，只能看到容量差异，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。拍照、若速度降至1.1MB/s，SLC缓存容量约为250GB。

HOMOLAB测试显示，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。当存储使用率达到60%左右，数据直接写入QLC层，持续写入速度平均为79.4MB/s，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在混合读写测试中，以50GB数据传输为例，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，有观点认为，无法了解底层存储技术。相比TLC的3位方案，