而DRAM的存储数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，据分析机构Kurnal Insights的比算飙升最新调研显示，再乘以不同世代的力贵位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，受全球AI产业对存储容量的单位电极度渴求，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。面积
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的价值m晶数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，折合1.55美元/Gb。反超缺陷与良率等因素，台积目前尖端内存芯片每平方毫米的存储潜在价值，
数据表明，比算飙升
力贵折合约0.283美元/mm²，单位电这些数字基于非官方信息，面积N2工艺的价值m晶晶圆价格明显更高，只能视作名义上的反超晶圆面积单价，测试结构、据DRAMeXchange数据，1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，对应0.410美元/mm²。而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，
需要说明的是，
值得一提的是，切割损耗、
9月23日消息，对应价值0.329美元/mm²。且未计入不可用的晶圆边缘、折合约0.424美元/mm²。反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），而非可用硅片的实际成本。仅比Kurnal的估算高出3%，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。
按此价格计算，
而DRAM的算法则完全不同，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，对应价值高达0.654美元/mm²，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。
具体来看，约为3万美元（约21.3万元人民币），
